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STB55NF06T4中文资料

STB55NF06T4图片

STB55NF06T4外观图

  • 大小:541.3KB
  • 厂家:STMicroelectronics
  • 描述: MOSFET, N CH, 60V, 50A, D2PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:27.5A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):15mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:D2-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Current Id Max:50A; Package / Case:D2-PAK; Power Dissipation Pd:110W; Termination Type:SMD; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vds Typ:60V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • 其它有关文件:STB55NF06 View All Specifications
  • 标准包装:1
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:STripFET™
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点:标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss):60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:50A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:18 毫欧 @ 27.5A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:60nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:1300pF @ 25V
  • 功率 - 最大:110W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商设备封装:D2PAK
  • 包装:Digi-Reel?
  • 其它名称:497-6553-6

STB55NF06T4供应商

更新时间:2023-01-10 12:55:26
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